Очередная конструкция мощного зарядного устройства для кислотных аккумуляторов большой емкости. Данное устройство может с успехом зарядить автомобильные аккумуляторы с емкостью до 120 Ампер. Выходное напряжение зарядного устройства можно регулировать от 0 до 24-х Вольт. Схема отличается от аналогов малым количеством компонентов в обвязке и практически не нуждается в дополнительной настройке.

Мощное зарядное устройство для аккумуляторов — схема

Силовая часть — мощный составной транзистор отечественного производства серии КТ827, выходное напряжение регулируется переменным резистором R2. Выходной ток схемы зарядки зависит от типа и мощности используемого трансформатора.

Сам трансформатор достаточно легко найти в источниках бесперебойного питания, Как право, минимальная мощность таких трансформаторов составляет не менее 200 ватт, а в некоторых, более мощных бесперебойниках вплоть со 1000 ватт. Трансформатор имеет три основных вывода. Сама обмотка (которая в бесперебойнике играет роль первичной обмотки) тут у нас будет понижающей, то есть вторичной. Трансформатор является обычным понижающим сетевым трансформатором, при таком режиме работы на выводах вторичной обмотки образуется переменное напряжение с номиналом 24 Вольт 8-15 Ампер, в зависимости от мощности трансформатора.

Средний вывод трансформатора — отвод от середины, его мы использовать не будем. Два крайних вывода обмотки подключаются к схеме зарядки.

Возможно понадобиться принудительное охлаждение схемы. Для этого можно использовать кулер от компьютерных блоков питания, желательно кулер запитать от отдельного напряжения 12 Вольт, к примеру, можно использовать среднюю точку нашей обмотки и один из концов, выпрямить напряжение обычным мостом и подать на кулер.

С уважением — АКА КАСЬЯН

Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

Общие сведения

Транзисторы биполярные КТ827А (составной), КТ945А и КТ8111А (составной) предназначены для использования в выходных каскадах усилителей мощности, стабилизаторах тока и напряжения, в ШИМ-преобразователях и схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

КТХХА:
КТ - транзистор кремниевый биполярный;
Х - обозначение назначения транзистора
(8 - большой мощности с граничной частотой от 3 до 30 МГц;
9 - большой мощности с граничной частотой от 30 до 300 МГц);
Х - порядковый номер разработки (27; 45; 111);
А - классификационная группа по параметрам.

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ827А в соответствии с требованиями аАО.336.356 ТУ-95, транзистора КТ945А - аАО.336.256ТУ-95, транзистора КТ8111А - АДБК.432.150.201 ТУ-95. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С. Температура корпуса транзистора от минус 45 до 100°С. аАО.336.356 ТУ-95;аАО.336.256 ТУ-95;АДБК.432.150.201 ТУ-95

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров транзисторов приведены в табл. 1, статические и динамические характеристики - в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра	Буквенное обозначение				Режим измерения *
		КТ827А	КТ945А	КТ8111А
Граничное напряжение, В	U КЭО гр	100	200	100	I K =0,1A L К =40мГн
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В	U КБО mах	100	225	100	I КБО: 0,5 мА – КТ827А и КТ8111А; 2 мА – КТ945А; I э =0
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В	U ЭБО mах	5			I ЭБО: 5 мА – КТ827А и КТ8111А; 10 мА – КТ945А; I К =0
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А	I K mах	20	15	20	–
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А	I K, ИМП mах	40	25	40
Максимально допустимый постоянный ток базы, А	I Б mах	0,8	7	0,8
Максимально допустимый импульсный ток базы, А	I Б, ИМП mах	–	12	–
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт	p K mах	125	50	90	Т П =Т П mах
Максимально допустимая температура перехода, ° С	Т П mах	200	175	150	–
* Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра	Буквенное обозначение	Значение параметра для транзисторов типов			Режим измерения *
		КТ827А	КТ945А	КТ8111А
Обратный ток коллектор-база, мА: типовой максимальный	I КБО	0,1 0,5	0,2 2	0,1 0,5	U КБО: 100 В – КТ827А и КТ8111А; 225 В – КТ945А I Э =0
Обратный ток эмиттер-база, мА: типовой максимальный	I ЭБО	2 5	0,1 10	2 5	U ЭБО =5 В I К =0
Статический коэффициент передачи тока: минимальный типовой максимальный	h 21Э	750 5000 18000	10 40 60	750 5000 18000	I K: 10 А – КТ827А и КТ8111А; 15 А – КТ945А U КЭ: 3 В – КТ827А и КТ8111А 7 В – КТ945А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: типовое	U КЭ нас	1,5			I K: 10 А – КТ827А и КТ8111А; 15 А – КТ945А I Б: 0,04 А – КТ827А и КТ8111А; 3 А – КТ945А
максимальное		2	2,5	2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В: типовое максимальное	U БЭ нас	3 4	2 3	3 4	I K: 20 А – КТ827А и КТ8111А; 15 А – КТ945А I Б: 0,2 А – КТ827А и КТ8111А; 3 А – КТ945А
Время выключения, мкс: типовое максимальное	t ВЫКЛ	4 6	– –	4 6	I K =10 A I Б =±0,04 А
Время спада коллекторного тока, мкс: типовое максимальное	t СП	– –	0,15 0,3	– –	I K =10 A I Б =±0,2 А
Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт: типовое максимальное	t ВЫКЛ	– 1,4	1,4 2,5	– 1,4	U K =20 B I K: 6,25 А – КТ827А; 2,5 А – КТ945А; 4,5 А – КТ8111А
* Температура корпуса 25 ° С.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ827А и КТ945А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ8111А - в корпусе КТ-43 (ТО-218) - на рис. 2, электрические схемы транзисторов - на рис. 3, а, б.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ827А и КТ945А в корпусе КТ-9: 1 - база;
2 - коллектор;
3 - эмиттер

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ8111А в корпусе КТ-43: 1-3 - по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а - КТ827А и КТ8111А: VT1, VT2 - транзисторы;
VD1 - демпферный диод;
R1 - согласующий резистор 10 кОм;
R2 - согласующий резистор 100 Ом;
1-3 - по рис. 1;
б - КТ945А: VT1 - транзистор;
1-3 - по рис. 1 Масса транзисторов КТ827А и КТ945А не более 20 г, транзистора КТ8111А - не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч;
интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10 - 6 1/ч;
минимальный 99,5% срок сохраняемости транзисторов 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Т ранзисторы КТ827(2Т827) - кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона), структуры - n-p-n.
Корпус металлостекляный(ТО-3) или пластиковый.
Маркировка буквенно - цифровая, на передней поверхности корпуса. На рисунке ниже - маркировка и цоколевка КТ827.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
- от 750 до 18000 при типовом значении - 6000 .

2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА - не более 3 в.

Граничная частота передачи тока. - 4 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер.
У транзисторов КТ827А, 2Т827А - 100 в.
У транзисторов КТ827Б, 2Т827Б - 80 в.

У транзисторов КТ827В, 2Т827В - 60 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) - 20 А, импульсный - 40 А.

Рассеиваемая мощность коллектора - 125 Вт

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 400 пФ.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ827.

КТ827А - 2N6059, 2N6284.
КТ827Б - 2N6058.
КТ827В - 2N6057

Транзисторы КТ973

Транзисторы КТ973 - мощные, высокочастотные, кремниевые, составные, структура - p-n-p. Корпус пластиковый TO-126.
Маркировка либо буквенно - цифровая, либо - кодированная, на лицевой части корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ973.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - свыше 750 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ973А - - 60 в.
У транзисторов КТ973Б - - 45 в.

Коэффициент передачи тока - от 750 .

Максимальный постоянный ток коллектора - 4 А.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-эмиттер 60 в:
У транзисторов КТ973А, КТ973В - 1
У транзисторов КТ973Б при напряжении коллектор-эмиттер 45в - 1 мА, при температуре окружающей среды + 25 по Цельсию.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА - не более 1,5 в.